Kasbiy faoliyat:

• Elektr va kompyuter muhandisligi bo‘yicha Ph.D., sanoatda 20 yildan ortiq ilmiy-tadqiqot va tajriba-konstruktorlik (R&D) tajribasiga ega.

• Standart ASIC loyihalash jarayonining barcha bosqichlarida — arxitektura, mantiqiy va sxemaviy loyihalashdan tortib verifikatsiyagacha — tajribaga ega.

• Ikki semestr davomida assistent-o‘qituvchi sifatida faoliyat yuritgan (eng yaxshi assistent-o‘qituvchi nominatsiyasiga kiritilgan), shuningdek, bir necha yil davomida sanoat va mahalliy hamjamiyat uchun o‘quv dasturlarida instruktor sifatida faoliyat olib borgan.

• Ko‘p funksiyali loyihalash va ishlab chiqish jamoalariga rahbarlik qilish, fanlararo hamkorlik va loyihalarni amalga oshirish bo‘yicha tajribaga ega.

• ASIC, SoC, VLSI va o‘rnatilgan tizimlarni loyihalash bo‘yicha amaliy tajribaga ega, jumladan arxitektura, mantiqiy, sxemaviy va topologik loyihalash.

• Yuqori samarali CPU, MCU va DSP tizimlarini ishlab chiqish, shuningdek, qattiq jismli qurilmalar fizikasi bo‘yicha chuqur bilimlarga ega.

• SSD (qattiq holatdagi ma’lumot saqlash qurilmasi) kontrollerlarini arxitektura, mantiqiy va sxemaviy loyihalashdan tortib verifikatsiyagacha ishlab chiqish tajribasiga ega.

• NAND Flash xotirasini moslashtirish uchun signalni qayta ishlash va ECC (LDPC) xatolarni tuzatish algoritmlarini amalga oshirish tajribasiga ega.

• Ilmiy-tadqiqot yo‘nalishlari: nanoo‘lchamli texnologiyalar asosidagi aqlli, energiya tejamkor va texnologik o‘zgarishlarga chidamli integral tizimlar.
   

Ma’lumoti:

DSc., Toshkent, O‘zbekiston, № 007186, 2022-yil oktabr.

Ph.D., Purdue universiteti, Elektr va kompyuter muhandisligi, West Lafayette, Indiana, AQSh, 2007-yil dekabr.
Dissertatsiya mavzusi: Nanometr texnologiyalarida kam quvvat sarflaydigan va texnologik o‘zgarishlarga chidamli VLSI tizimlarini loyihalash.

M.S., Koreya ilg‘or fan va texnologiyalar instituti (KAIST), Elektr va elektron muhandisligi, Daejeon, Janubiy Koreya, 1996-yil fevral.
Dissertatsiya mavzusi: DCT/IDCT protsessorini loyihalash.

B.S., Hanyang universiteti, Elektronika muhandisligi, Seul, Janubiy Koreya, 1992-yil fevral.
 

Mehnat faoliyati:

2022 – hozirgi vaqtga qadar
Toshkent shahridagi Ajou universiteti, Elektr va kompyuter muhandisligi professori, O‘zbekiston

2018 – 2021
Mustaqil muhandis, turli loyihalar, San-Xose, AQSh

2016 – 2018
Yuqori darajadagi muhandis (vitse-prezident), SK Hynix Memory Solutions, Kaliforniya, AQSh

2010 – 2016
Yetakchi muhandis (SoC direktori), Samsung Electronics Co., Janubiy Koreya

2007 – 2010
Maxsus integral sxemalar loyihalash bo‘yicha muhandis (jamoa rahbari), Intel Corporation, Hillsboro, Oregon, AQSh

2004 – 2005
Stajyor, Qualcomm Inc., San-Xose, Kaliforniya, AQSh

1995 – 2001
Katta muhandis, LG Semiconductor (keyinchalik SK Hynix tomonidan sotib olingan), Seul, Janubiy Koreya
 

Loyihalar bo‘yicha tajriba:

Toshkent shahridagi Ajou universiteti, O‘zbekiston (2022-yil yanvar – hozirgi vaqtga qadar)

Lavozimi va roli: professor, elektr va kompyuter muhandisligi yo‘nalishi talabalariga dars beradi.

SK Hynix Memory Solutions, San-Xose, Kaliforniya, AQSh (2016-yil aprel – 2018-yil may)

Lavozimi va roli: yuqori darajadagi muhandis (vitse-prezident), SoC dizayni va arxitekturasi.

Samsung Electronics, Seul, Janubiy Koreya (2010-yil oktabr – 2016-yil yanvar)

Lavozimi va roli: yetakchi muhandis, muhandislik direktori, SoC dizayni va ishlab chiqish.

Intel Corporation, Hillsboro, Oregon, AQSh (2008-yil mart – 2010-yil avgust)

Lavozimi va roli: maxsus loyihalash muhandisi, jamoa rahbari, CPU va aralash signalli tizimlarni loyihalash.

Qualcomm Inc., San-Diyego, Kaliforniya, AQSh (2004-yil iyul – 2005-yil iyun)

Lavozimi va roli: stajyor, ilmiy-tadqiqot va tajriba-konstruktorlik ishlari (R&D).

LG Semiconductor (keyinchalik SK Hynix tomonidan sotib olingan), Seul, Janubiy Koreya (1995-yil iyun – 2001-yil iyul)

Lavozimi va roli: shtatdagi loyihalash muhandisi, ASIC loyihalash.
 

Patentlar:

1. Myeong-Eun Hwang va Insuh Hwang, “High Bandwidth Double-Sided Integrated Circuit Die and Integrated Circuit Package Including the Same”, AQSh patenti № 19/259,522, 2025-yil 3-iyulda topshirilgan (CIP).

2. Myeong-Eun Hwang va Insuh Hwang, “Double-Sided Integrated Circuit Die and Integrated Circuit Package Including the Same”, AQSh patenti № 12,356,724, 2025-yil 8-iyulda berilgan.

3. Myeong-Eun Hwang va boshqalar, Koreya patenti № 10-2023-0151895, 2024-yil 11-iyulda berilgan.

4. Myeong-Eun Hwang, AQSh patenti № 17/962,578, 2022-yil 10-oktabr.

5. Myeong-Eun Hwang, Koreya patenti № 10-2022-011518, 2022-yil 13-sentyabr.

6. Myeong-Eun Hwang va Do Kim, AQSh patenti № 17/369030, 2021-yil 7-iyul.

7. Koreya patenti № 10-2021-0099144, 2021-yil 28-iyul.

• 20 dan ortiq qo‘shimcha xalqaro patentlar.

Professional tashkilotlarga a’zolik:

• IEEE a’zosi
• IEEE ISCAS sharhlovchisi
• ACM/IEEE DATE sharhlovchisi
• IEEE TCAS, TED, JSSC sharhlovchisi

O‘qitiladigan fanlar:

• Elektromagnit maydonlar
• Mantiqiy sxemalarni loyihalash
• Mikroelektronika
• Tizimlar va signallar
• Ma’lumotlar tuzilmalari va algoritmlar
• Yarimo‘tkazgichli mikrosxemalarni ilg‘or loyihalash
• Ilg‘or muhandislik matematikasi
• C dasturlash tili
• Capstone I/II
• Sun’iy intellektga kirish
  
  Men Purdue universitetida (Indiana shtati, AQSh) Ph.D. darajasini olganman. 20 yildan ortiq vaqt davomida Intel (Oregon, AQSh), Qualcomm (Kaliforniya, AQSh) va Samsung Electronics (Janubiy Koreya) kabi yirik xalqaro kompaniyalarda yarimo‘tkazgich mikrosxemalarini loyihalash bo‘yicha muhandis hamda rahbar lavozimlarida faoliyat yuritganman. 60 dan ortiq xalqaro ilmiy maqola va patentlar muallifiman.

  Shuningdek, menga O‘zbekiston Respublikasi hukumati tomonidan Fan doktori (DSc) ilmiy darajasi berilgan.