Профессиональная деятельность:

• Доктор философии (Ph.D.) в области электротехники и компьютерной инженерии, более 20 лет опыта научно-исследовательской и опытно-конструкторской работы (R&D) в промышленности.

• Опыт работы на всех этапах стандартного процесса проектирования ASIC — от разработки архитектуры, логики и схем до верификации.

• Ассистент преподавателя в течение двух семестров (номинирован на звание лучшего ассистента преподавателя), а также преподаватель отраслевых и образовательных программ для местного сообщества в течение нескольких лет.

• Опыт руководства многофункциональными командами по проектированию и разработке с междисциплинарным взаимодействием и координацией выполнения проектов.

• Практический опыт проектирования ASIC, SoC, VLSI и встроенных систем, включая разработку архитектуры, логики, схем и топологии.

• Опыт разработки высокопроизводительных процессоров CPU, микроконтроллеров MCU и систем DSP, а также глубокая подготовка в области физики твердотельных приборов.

• Опыт проектирования контроллеров SSD (твердотельных накопителей) — от разработки архитектуры, логики и схем до верификации.

• Опыт реализации алгоритмов обработки сигналов и коррекции ошибок ECC (LDPC) для адаптации NAND Flash-памяти.

• Научные интересы включают интеллектуальные, энергоэффективные и устойчивые к технологическим вариациям интегрированные системы на основе наномасштабных технологий.
   

Образование:

DSc., Ташкент, Узбекистан, № 007186, октябрь 2022 г.

Ph.D., Университет Пердью, электротехника и компьютерная инженерия, Уэст-Лафейетт, Индиана, США, декабрь 2007 г.
Тема диссертации: Проектирование энергоэффективных VLSI-систем, устойчивых к технологическим вариациям, в нанометровых технологиях.

M.S., Корейский передовой институт науки и технологий (KAIST), электротехника и электроника, Тэджон, Республика Корея, февраль 1996 г.
Тема диссертации: Проектирование процессора DCT/IDCT.

B.S., Университет Ханян, электроника, Сеул, Республика Корея, февраль 1992 г.
 

Профессиональная деятельность:

2022 – настоящее время
Профессор кафедры электротехники и компьютерной инженерии, Университет Аджу в Ташкенте, Узбекистан

2018 – 2021
Независимый инженер, различные проекты, Сан-Хосе, США

2016 – 2018
Инженер высшего уровня (вице-президент), SK Hynix Memory Solutions, Калифорния, США

2010 – 2016
Ведущий инженер (директор по SoC), Samsung Electronics Co., Республика Корея

2007 – 2010
Специалист по проектированию интегральных схем (руководитель команды), Intel Corporation, Хиллсборо, Орегон, США

2004 – 2005
Стажёр, Qualcomm Inc., Сан-Хосе, Калифорния, США

1995 – 2001
Старший инженер, LG Semiconductor (впоследствии приобретена SK Hynix), Сеул, Республика Корея
 

Опыт работы над проектами:

Университет Аджу в Ташкенте, Узбекистан (январь 2022 г. – настоящее время)

Должность и роль: профессор, преподавание электротехники и компьютерной инженерии студентам соответствующего направления.

SK Hynix Memory Solutions, Сан-Хосе, Калифорния, США (апрель 2016 г. – май 2018 г.)

Должность и роль: инженер высшего уровня (вице-президент), проектирование и архитектура SoC.

Samsung Electronics, Сеул, Республика Корея (октябрь 2010 г. – январь 2016 г.)

Должность и роль: ведущий инженер, директор по инженерным разработкам, проектирование и разработка SoC.

Intel Corporation, Хиллсборо, Орегон, США (март 2008 г. – август 2010 г.)

Должность и роль: инженер по специальным проектам, руководитель команды, проектирование CPU и схем со смешанными сигналами.

Qualcomm Inc., Сан-Диего, Калифорния, США (июль 2004 г. – июнь 2005 г.)

Должность и роль: стажёр, научно-исследовательская и опытно-конструкторская работа (R&D).

LG Semiconductor (впоследствии приобретена SK Hynix), Сеул, Республика Корея (июнь 1995 г. – июль 2001 г.)

Должность и роль: инженер по проектированию, проектирование ASIC.
 

Патенты:

1. Myeong-Eun Hwang и Insuh Hwang, “High Bandwidth Double-Sided Integrated Circuit Die and Integrated Circuit Package Including the Same”, патент США № 19/259,522, заявка от 3 июля 2025 г. (CIP).

2. Myeong-Eun Hwang и Insuh Hwang, “Double-Sided Integrated Circuit Die and Integrated Circuit Package Including the Same”, патент США № 12,356,724, выдан 8 июля 2025 г.

3. Myeong-Eun Hwang и соавт., патент Кореи № 10-2023-0151895, выдан 11 июля 2024 г.

4. Myeong-Eun Hwang, патент США № 17/962,578, 10 октября 2022 г.

5. Myeong-Eun Hwang, патент Кореи № 10-2022-011518, 13 сентября 2022 г.

6. Myeong-Eun Hwang и Do Kim, патент США № 17/369030, 7 июля 2021 г.

7. Патент Кореи № 10-2021-0099144, 28 июля 2021 г.

• Более 20 дополнительных международных патентов.
   

Членство в профессиональных организациях:

• Член IEEE
• Рецензент IEEE ISCAS
• Рецензент ACM/IEEE DATE
• Рецензент IEEE TCAS, TED, JSSC
   

Преподаваемые дисциплины:

• Электромагнитные поля
• Проектирование логических схем
• Микроэлектроника
• Системы и сигналы
• Структуры данных и алгоритмы
• Продвинутое проектирование полупроводниковых микросхем
• Высшая инженерная математика
• Язык программирования C
• Capstone I/II
• Введение в искусственный интеллект

  Я получил степень Ph.D. в Университете Пердью (штат Индиана, США) и более 20 лет работал инженером по проектированию полупроводниковых микросхем и руководителем в крупных международных компаниях, включая Intel (Орегон, США), Qualcomm (Калифорния, США) и Samsung Electronics (Республика Корея). Я являюсь автором более 60 международных научных публикаций и патентов.

  Также мне была присуждена степень доктора наук (DSc) Правительством Республики Узбекистан.